申請?zhí)?專利號： 200780000966
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體陶瓷，施主元素相對于Ｔｉ元素１００摩爾，在０．８～２．０摩爾的范圍中固溶在晶粒中，受主元素以比所述施主元素更少的量固溶在晶粒中，受主元素以相對于Ｔｉ元素１００摩爾，在０．３～１．０摩爾的范圍中存在于晶界中，晶粒的平均粒徑為１．０μｍ以下。使用該半導(dǎo)體陶瓷，取得層疊型半導(dǎo)體陶瓷電容器。這時，在進行還原煅燒的一次煅燒處理中，把冷卻開始時的氧分壓設(shè)定為煅燒過程的氧分壓的１．０×１０↑［４］倍以上，進行冷卻處理。據(jù)此，實現(xiàn)即使晶粒的平均粒徑微�；剑保�μｍ以下，也具有５０００以上的表觀相對介電常數(shù)εｒ↓［ＡＰＰ］和１０以上的比電阻ｌｏｇρ（ρ：Ω·ｃｍ）的ＳｒＴｉＯ↓［３］類晶界絕緣型的半導(dǎo)體陶瓷和使用它的層疊型半導(dǎo)體陶瓷電容器、它們的制造方法。
申請日： 2007年05月28日
公開日： 2009年01月14日
授權(quán)公告日：
申請人/專利權(quán)人： 株式會社村田制作所
申請人地址： 日本京都府
發(fā)明設(shè)計人： 川本光俊
專利代理機構(gòu)： 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司
代理人： 李香蘭
專利類型： 發(fā)明專利
分類號： C04B35/47;H01G4/12
